Die meisten Forschungsarbeiten ber den Stromverbrauch von Schaltkreisen konzentrierten sich auf die Schaltleistung, und die durch den Leckstrom verbrauchte Leistung war ein relativ unbedeutender Bereich. Bei den aktuellen VLSI-Prozessen wird der Sub-Threshold-Strom jedoch zu einem der wichtigsten Faktoren f r den Stromverbrauch, insbesondere bei High-End-Speichern. Um die Leckleistung im SRAM zu reduzieren, kann die Power-Gating-Methode angewandt werden, und eine wichtige Technik des Power-Gating ist die Verwendung von Sleep-Transistoren zur Steuerung des Sub-Threshold-Stroms. In diesem Projekt werden doppelte Schwellenspannungen verwendet; normale SRAM-Zellen haben niedrigere Schwellenspannungen und die h heren Schwellenspannungen steuern die Sleep-Transistoren. Die Gr e der Sleep-Transistoren kann anhand des Worst-Case-Stroms gew hlt werden und wird auf jeden Block angewendet.
La plupart des recherches sur la consommation d' nergie des circuits se sont concentr es sur la puissance de commutation et la puissance dissip e par le courant de fuite a t un domaine relativement mineur. Cependant, dans le processus VLSI actuel, le courant sous le seuil devient l'un des principaux facteurs de la consommation d' nergie, en particulier dans les m moires haut de gamme. Pour r duire la puissance de fuite dans la SRAM, la m thode de gestion de la puissance peut tre appliqu e et l'une des principales techniques de gestion de la puissance est l'utilisation de transistors de veille pour contr ler le courant de sous-seuil. Dans ce projet, des tensions de seuil doubles sont adopt es; les cellules SRAM normales ont des tensions de seuil inf rieures et les tensions de seuil sup rieures contr lent les transistors dormants. La taille des transistors dormants peut tre choisie en fonction du courant le plus d favorable et est appliqu e chaque bloc.
La maggior parte delle ricerche sul consumo di potenza dei circuiti si concentrata sulla potenza di commutazione e la potenza dissipata dalla corrente di dispersione stata un'area relativamente minore. Tuttavia, nell'attuale processo VLSI, la corrente sotto-soglia diventa uno dei fattori principali del consumo di energia, soprattutto nelle memorie di fascia alta. Per ridurre la potenza di dispersione nelle SRAM, possibile applicare il metodo del power gating, la cui tecnica principale l'utilizzo di transistor sleep per controllare la corrente sotto-soglia. In questo progetto si adottano tensioni di soglia doppie; le normali celle SRAM hanno tensioni di soglia inferiori e le tensioni di soglia superiori controllano i transistor di sleep. La dimensione dei transistor di sleep pu essere scelta in base alla corrente del caso peggiore e sono applicati a ogni blocco.
A maior parte da investiga o sobre o consumo de energia dos circuitos tem-se concentrado na pot ncia de comuta o e a pot ncia dissipada pela corrente de fuga tem sido a rea relativamente menor. No entanto, no processo VLSI actual, a corrente de sub-limiar torna-se um dos principais factores do consumo de energia, especialmente na mem ria de ponta. Para reduzir a pot ncia de fuga na SRAM, o m todo de alimenta o pode ser aplicado e uma das principais t cnicas de alimenta o a utiliza o de trans stores de sono para controlar a corrente de sub-limiar. Neste projecto, s o adoptadas tens es de limiar duplo; as c lulas SRAM normais t m tens es de limiar mais baixas e as tens es de limiar mais altas controlam os trans stores de sono. O tamanho dos trans stores de sono pode ser escolhido pela corrente do pior caso e s o aplicados a cada bloco.
