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1000 tulosta hakusanalla Rahman Baba

Thermodynamische Analyse

Thermodynamische Analyse

Rahman Bakhyshov

Verlag Unser Wissen
2020
pokkari
Die vorliegende Arbeit widmet sich der thermodynamischen Analyse der physikochemischen Prozesse des Wachstums von epitaktischen Schichten der Halbleiterverbindung Ga2Se3 aus der Gasphase im Str mungssystem Ga - Se - Cl - H und der Modellierung technologischer Prozesse zur Vorhersage m glicher technologischer Varianten und zur Bestimmung optimaler Bedingungen f r die Synthese dieser Verbindung. Es werden die Ergebnisse der Forschungen nach der Bestimmung und Berechnung der thermodynamischen Parameter der einzelnen Stoffe des Systems Ga - Se - Cl - H f r ihre Verwendung bei der thermodynamischen Modellierung der Prozesse des Wachstums der epitaktischen Schichten von Ga2Se3 aus der Gasphase gegeben. Der Zusammenhang zwischen thermodynamischen Variablen und technologischen Parametern des Ga2Se3-Syntheseprozesses in einem offenen Reaktortyp mit getrennten Gallium- und Selenquellen wird untersucht. Es wird das Schema der Berechnung der technologischen Parameter des Prozesses des Aufwachsens der epitaktischen Schichten von Ga2Se3 im Str mungsgastransportsystem mit getrennten Quellen von Gallium und Selen dargestellt.
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Análise termodinâmica dos processos de crescimento da camada epitaxial

Análise termodinâmica dos processos de crescimento da camada epitaxial

Rahman Bakhyshov

Edicoes Nosso Conhecimento
2020
pokkari
O presente trabalho dedicado an lise termodin mica dos processos f sico-qu micos de crescimento das camadas epitaxiais do composto semicondutor Ga2Se3 a partir da fase gasosa no sistema de fluxo Ga - Se - Cl - H e modela o de processos tecnol gicos para previs o de poss veis variantes tecnol gicas e determina o de condi es ptimas para a s ntese deste composto. S o apresentados os resultados das pesquisas de defini o e c lculo dos par metros termodin micos de subst ncias individuais do sistema Ga - Se - Cl - H, para a sua utiliza o na modela o termodin mica dos processos de crescimento das camadas epitaxiais de Ga2Se3 a partir de uma fase gasosa. investigada a liga o entre vari veis termodin micas e par metros tecnol gicos do processo de s ntese Ga2Se3 em reactor de tipo aberto com fontes separadas de g lio e sel nio. O esquema de c lculo dos par metros tecnol gicos do processo de crescimento das camadas epitaxiais de Ga2Se3 no sistema de transporte de g s de fluxo com fontes separadas de g lio e sel nio ilustrado.
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Analisi termodinamica dei processi di crescita degli strati epitassiali

Analisi termodinamica dei processi di crescita degli strati epitassiali

Rahman Bakhyshov

Edizioni Sapienza
2020
pokkari
Il presente lavoro dedicato all'analisi termodinamica dei processi fisico-chimici di crescita degli strati epitassiali del composto semiconduttore Ga2Se3 dalla fase gassosa nel sistema di flusso Ga - Se - Cl - H e alla modellazione dei processi tecnologici per la previsione di possibili varianti tecnologiche e la determinazione delle condizioni ottimali per la sintesi di questo composto. Sono riportati i risultati delle ricerche sulla definizione e sul calcolo dei parametri termodinamici delle singole sostanze del sistema Ga - Se - Cl - H, per il loro utilizzo nella modellazione termodinamica dei processi di crescita degli strati epitassiali di Ga2Se3 da una fase gassosa. Viene studiata la connessione tra variabili termodinamiche e parametri tecnologici del processo di sintesi del Ga2Se3 in reattore di tipo aperto con sorgenti separate di gallio e selenio. Viene illustrato lo schema di calcolo dei parametri tecnologici del processo di crescita degli strati epitassiali crescenti di Ga2Se3 nel sistema di trasporto dei gas di flusso con sorgenti separate di gallio e selenio.
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Termodynamiczna analiza procesów wzrostu warstwy epitaksjalnej

Termodynamiczna analiza procesów wzrostu warstwy epitaksjalnej

Rahman Bakhyshov

Wydawnictwo Nasza Wiedza
2020
pokkari
Niniejsza praca jest poświęcona analizie termodynamicznej proces w fizykochemicznych wzrostu warstw epitaksjalnych związku p lprzewodnikowego Ga2Se3 z fazy gazowej w ukladzie przeplywowym Ga - Se - Cl - H oraz modelowaniu proces w technologicznych w celu prognozowania możliwych wariant w technologicznych i określenia optymalnych warunk w syntezy tego związku. Podano wyniki badań nad definiowaniem i obliczaniem parametr w termodynamicznych poszczeg lnych substancji systemu Ga - Se - Cl - H, do wykorzystania przy termodynamicznym modelowaniu proces w wzrostu warstw epitaksjalnych Ga2Se3 z fazy gazowej. Zbadano związek pomiędzy zmiennymi termodynamicznymi a parametrami technologicznymi procesu syntezy Ga2Se3 w reaktorze typu otwartego z oddzielnymi źr dlami galu i selenu. Zilustrowano schemat obliczenia parametr w technologicznych procesu narastania warstw epitaksjalnych Ga2Se3 w ukladzie transportu gazu przeplywowego z wydzielonymi źr dlami galu i selenu.
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