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MeV-Elektronenbestrahlung von Si-Heterostrukturen

MeV-Elektronenbestrahlung von Si-Heterostrukturen

Sonia Kaschieva; Sergey N Dmitriev

Verlag Unser Wissen
2020
pokkari
Die Erzeugung von Strahlungsdefekten durch hochenergetische MeV-Elektronenbestrahlung von n- und p-Typ Si-SiO2-Strukturen mit verschiedenen Arten von Oxiden wurde untersucht. Die Morphologie nderungen des SiO2-Oxids w hrend der MeV-Elektronenbestrahlung wurden mittels AFM beobachtet. Es werden Si+-Ionen-implantierte Si-SiO2-Strukturen vor und nach MeV-Elektronenbestrahlung vorgestellt. Die Umverteilung von Sauerstoff- und Silizium-Atomen und die Erzeugung von Si-Nanokristallen w hrend der MeV-Elektronenbestrahlung wurde mit RBS/C- bzw. AFM-Techniken beobachtet. Optische Eigenschaften, Photolumineszenz und spektroskopische Untersuchungen von SiOx-Filmen, die mit MeV-Elektronen bestrahlt wurden, werden ebenfalls durchgef hrt.
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Irradiation électronique MeV des hétérostructures de Si

Irradiation électronique MeV des hétérostructures de Si

Sonia Kaschieva; Sergey N Dmitriev

Editions Notre Savoir
2020
pokkari
La g n ration de d fauts de rayonnement par irradiation d' lectrons MeV de haute nergie de la structure Si-SiO2 de type n et p avec diff rents types d'oxydes a t tudi e. Les changements morphologiques de l'oxyde de SiO2 pendant l'irradiation d' lectrons MeV ont t observ s par l'AFM. Les structures Si-SiO2 implant es avec des ions Si+ avant et apr s l'irradiation d' lectrons MeV sont pr sent es. La redistribution des atomes d'oxyg ne et de silicium et la g n ration de nanocristaux de Si pendant l'irradiation d' lectrons MeV ont t observ es par les techniques RBS/C et AFM respectivement. Les propri t s optiques, la photoluminescence et les tudes spectroscopiques des films de SiOx irradi s par des lectrons MeV sont galement pr sent es.
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Irradiação de electrões MeV de Si heteroestruturas

Irradiação de electrões MeV de Si heteroestruturas

Sonia Kaschieva; Sergey N Dmitriev

Edicoes Nosso Conhecimento
2020
pokkari
Foi estudada a gera o de defeitos de irradia o por irradia o electr nica MeV de alta energia de estrutura Si-SiO2 do tipo n e p com diferentes tipos de xidos. As altera es morfol gicas do xido de SiO2 durante a irradia o dos electr es do MeV foram observadas pela AFM. As estruturas de Si+ i es implantadas de Si-SiO2 antes e depois da irradia o dos electr es MeV s o apresentadas. A redistribui o dos tomos de oxig nio e sil cio e a gera o de nanocristais de Si durante a irradia o dos electr es MeV foi observada pelas t cnicas RBS/C e AFM, respectivamente. As propriedades pticas, a fotoluminesc ncia e os estudos espectrosc picos das pel culas de SiOx irradiadas com electr es MeV s o tamb m realizados.
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Irradiazione di elettroni MeV delle eterostrutture Si

Irradiazione di elettroni MeV delle eterostrutture Si

Sonia Kaschieva; Sergey N Dmitriev

Edizioni Sapienza
2020
pokkari
E' stata studiata la generazione di difetti di radiazione mediante irradiazione di elettroni MeV ad alta energia di tipo n e p- struttura Si-SiO2 con diversi tipi di ossidi. I cambiamenti morfologici di ossido di SiO2 durante l'irradiazione di elettroni MeV stato osservato da AFM. Si + strutture Si-SiO2 impiantato ioni Si + impiantato strutture Si-SiO2 prima e dopo l'irradiazione di elettroni MeV sono presentati. La ridistribuzione di atomi di ossigeno e di silicio e la generazione di nanocristalli Si durante l'irradiazione di elettroni MeV stata osservata da RBS / C e AFM tecniche rispettivamente. Propriet ottiche, fotoluminescenza e studi spettroscopici di film di SiOx irradiati con elettroni MeV sono anche effettuati.
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Napromieniowanie elektronami MeV heterostruktur Si

Napromieniowanie elektronami MeV heterostruktur Si

Sonia Kaschieva; Sergey N Dmitriev

Wydawnictwo Nasza Wiedza
2020
pokkari
Badano generowanie defektu radiacyjnego przez napromieniowanie elektronami MeV o wysokiej energii struktury n- i p- typu Si-SiO2 r żnymi rodzajami tlenk w. Zmiany morfologiczne tlenku Si-SiO2 podczas napromieniania elektronami MeV obserwowano za pomocą AFM. Przedstawiono zaimplantowane struktury Si-SiO2 z jonu Si+ przed i po naświetlaniu elektronami MeV. Redystrybucję atom w tlenu i krzemu oraz generację nanokrysztal w Si podczas napromieniania elektron w MeV obserwowano odpowiednio za pomocą technik RBS/C i AFM. Przeprowadzono r wnież badania wlaściwości optycznych, fotoluminescencji i spektroskopowe naświetlanych elektronami MeV folii SiOx.
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Emergent Literacy

Emergent Literacy

Sonia Q. Cabell; Laura Justice; Joan N. Kaderavek

Plural Publishing Inc
2008
nidottu
Emergent Literacy: Lessons for Success is a flexible tool designed for speech-language pathologists to enhance emergent literacy intervention for preschool and kindergarten-age children. The book includes 90 lessons addressing key areas of emergent literacy: phonological awareness, print concepts, alphabet knowledge, emergent writing, inferential language, and vocabulary. These lessons are suitable for use in clinical settings as well as in collaboration with classroom teachers. Also included are an overview of emergent literacy, differentiation recommendations, and suggestions for lesson integration across the key areas.
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