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984 tulosta hakusanalla Athanasios Terzis

Ohne Weg ans Ziel

Ohne Weg ans Ziel

Athanasios Ajay Meinberg

A. Meinberg - Free Publishing
2020
pokkari
Ohne Weg ans Ziel Dieses Handbuch steckt voller berraschungen. "Dein Ziel" ist schon die Gr sste davon - aber auch warum "ohne Weg" ... Wenn Du Dein Ziel kennst, braucht es keine Umwege mehr. Denn das, was wir "Weg" nennen, ist Abweichung - und die Korrektur davon. M ge Dir Ohne Weg ans Ziel eine sichere Orientierungshilfe und ein zuverl ssiger Wegbegleiter sein ...
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Nutzung der oberen Mikrowelle

Nutzung der oberen Mikrowelle

Athanasios Kouzonis

Verlag Unser Wissen
2021
pokkari
Es gibt viele breite und nicht zugewiesene Frequenzb nder im Sub-Terahertz-Bereich ( ber 100 GHz), die f r Breitbandanwendungen attraktiv sind. Das Potenzial dieser nicht lizenzierten und ungenutzten Terahertz-L cke im Spektrum zwischen Mikrowellen und optischen Frequenzen, wie z. B. die enorme Bandbreite, die sehr geringe Gr e, die sehr hohen Datenraten f r drahtlose Chip-to-Chip-Kommunikationsanwendungen und die geringere Wahrscheinlichkeit externer St rungen, ist eine Herausforderung nicht nur f r Weltraumanwendungen, sondern auch f r Verteidigungsanwendungen. Die Schw chen der Vakuumr hren (sperrig und diskret) k nnen berwunden werden, wenn die Vakuumr hren mit Hilfe von Silizium-Nanofabrikationstechnologien hergestellt werden und der Betriebsmechanismus von thermionischer Emission auf Feldemission umgestellt wird. In dieser Diplomarbeit wird das Forschungsdesign eines 150-nm-Vakuumkanaltransistors unter Verwendung geeigneter Softwaretools vorgestellt. Dieser Transistor arbeitet bei Frequenzen oberhalb des Mikrowellenspektrums und unterhalb des optischen Spektrums, d.h. zwischen 100 GHz und 3 THz, unter Verwendung des traditionellen Siliziumprozesses.
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Utilisation de l'hyperfréquence supérieure

Utilisation de l'hyperfréquence supérieure

Athanasios Kouzonis

Editions Notre Savoir
2021
pokkari
Il existe de nombreuses bandes de fr quences larges et non attribu es dans les fr quences sub-terahertz (au-dessus de 100 GHz) qui sont int ressantes pour les applications large bande. Le potentiel de cette bande de t rahertz sans licence et inutilis e, situ e entre les micro-ondes et le spectre optique, comme l' norme largeur de bande, la tr s petite taille, les d bits de donn es tr s lev s pour les applications de communication sans fil de puce puce et le moindre risque d'interf rence externe, est un d fi non seulement pour les applications spatiales, mais aussi pour les applications de d fense. La faiblesse des tubes vide (encombrants et discrets) peut tre surmont e si les tubes vide sont fabriqu s par des technologies de nanofabrication en silicium et si le m canisme de fonctionnement passe de l' mission thermoionique l' mission de champ. Ce travail de dipl me pr sente la conception, l'aide d'outils logiciels appropri s, d'un transistor canal sous vide de 150 nm. Ce transistor fonctionne une fr quence sup rieure au spectre des micro-ondes et inf rieure au spectre optique, donc entre 100 GHz et 3 THz, en utilisant le processus traditionnel du silicium.
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Utilização da Microonda Superior

Utilização da Microonda Superior

Athanasios Kouzonis

Edicoes Nosso Conhecimento
2021
pokkari
Existem muitas bandas de frequ ncia largas e n o atribu das nas frequ ncias de sub-terahertz (acima de 100 GHz) que s o atractivas para aplica es de banda larga. O potencial deste fosso terahertz n o licenciado e n o utilizado no espectro entre micro-ondas e espectro ptico, tais como enorme largura de banda, tamanho muito pequeno, taxas de dados muito elevadas para aplica es de comunica o chip-tochip sem fios e menor probabilidade de interfer ncia externa um desafio n o s para aplica es espaciais, mas tamb m para aplica es de defesa. A fraqueza dos tubos de v cuo (volumosos e discretos) pode ser ultrapassada se os tubos de v cuo forem feitos por tecnologias de nanofabrica o por sil cio e se o mecanismo de opera o for transferido da emiss o termi nica para a emiss o de campo. Esta tese de diploma apresenta o desenho de investiga o, utilizando ferramentas de software apropriadas, de um transistor de 150 nm de canal de v cuo. Este transistor est a operar numa frequ ncia sobre o espectro de microondas e abaixo do espectro ptico, portanto entre 100 GHz a 3 THz, utilizando o processo tradicional do sil cio.
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