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236 tulosta hakusanalla Dmytro Bintsarovskyi

Elementi interconnessi dei sistemi laser e optoelettronici
La progettazione generale dei sistemi laser e optoelettronici presenta numerosi elementi interconnessi, tra i quali, ai fini del pieno sviluppo e dell'ottimizzazione di questo tipo di tecnologia, opportuno considerare i seguenti aspetti fondamentali e le relative interconnessioni.Importanza strategica dell'identificazione rapida di strumenti e dispositivi intelligenti in tempo reale e in condizioni di utilizzo in blocchi analitici di sistemi di controllo e gestione di elementi di intelligenza artificiale e reti neurali artificiali.
Pulvérisation de cristaux de PbTe et redéposition des espèces pulvérisées
La pulv risation des surfaces lat rales des cristaux de PbTe obtenus partir de la fonte par la m thode Bridgman par le plasma Ar dans les conditions de la spectrom trie de masse neutre secondaire est examin e. De nouveaux ph nom nes - oscillations ap riodiques des taux de pulv risation du Pb et du Te, pr f rence norme pour la pulv risation du Te atteignant plus de deux ordres de grandeur au d but du processus de pulv risation, et exc s significatif du rendement de pulv risation int gr du Te par rapport celui du Pb pour une pulv risation prolong e par un plasma faible nergie (50-160 eV) - sont pr sent s. Les corr lations entre les caract ristiques de la pulv risation de surface des cristaux de PbTe et les processus de red position des esp ces pulv ris es sur la surface de pulv risation sont d montr es. Il est conclu que la formation et la re-pulv risation des noyaux sous-critiques de la nouvelle phase conduisent des oscillations des rendements de pulv risation du Pb et du Te. La formation de structures superficielles de taille post-critique soumises une nouvelle pulv risation entra ne des changements dans l'ampleur moyenne des rendements de pulv risation du Pb et du Te. Les particularit s des tats de charge du Pb et du Te interstitiels dans la matrice cristalline de PbTe sont l'origine de l' norme pulv risation pr f rentielle du Te par les faisceaux d'ions Ar+ de faible nergie.