?????? &1058. &1042.

Диэлектрики с высокой проницаемостью и соответствующие подложки интенсивно изучаются с целью их использования в проектировании СБИС. Однако оксид гафния (HfO2) является перспективным кандидатом на создание нового поколения диэлектриков затвора благодаря своей относительно высокой диэлектрической проницаемости 25, широкой полосе пропускания, хорошей термической стабильности и относительно высокой свободной энергии реакции с материалом подложки. В последнее время электронным устройствам на основе Ge вновь уделяется большое внимание, и Ge может обеспечить решение основных проблем, с которыми сталкивается технология Si в передовых КМОП-приборах; это связано, прежде всего, с более высокой мо-бильностью как дырок, так и электронов в подложке Ge. Таким образом, данная книга будет полезна читателям для ознакомления с некоторыми существенными вопросами технологии Ge для высокочастотных устройств.