José Alberto Luna López

En el presente trabajo, el objetivo fue estudiar las caracter sticas I-V y C-V de la estructura Al/SRO/Si y emplear las aproximaciones de uni n PN y capacitor MOS en el an lisis f sico de la estructura. El ndice de refracci n y los espesores de las pel culas se determinaron por elipsometr a. Dependiendo del exceso de silicio y el voltaje aplicado, el dispositivo se comporta como uni n inducida P-N o como un capacitor MOS. Se obtuvieron gr ficas I-V y C-V. De las gr ficas I-V se encontr que la corriente es altamente dependiente del tipo y concentraci n del sustrato y de la Ro. De las gr ficas C-V se muestra que tenemos intercambio de carga en la regi n de deserci n pr xima a la regi n de inversi n y sta se manifiesta como cambios abruptos en esta regi n. Se modelan los resultados de capacitancia contra voltaje utilizando la teor a del capacitor MOS y la uni n P-N. Las gr ficas I-V con iluminaci n muestran que la estructura analizada es un buen sensor de luz en el visible. Se reportan los par metros obtenidos como la constante diel ctrica, densidad de trampas en el aislante, tiempo de vida de generaci n y las aproximaciones a la uni n inducida P-N, MOS y deserci n profunda.