Keyur Mahant

Les particules charg es peuvent avoir des effets n fastes sur les engins spatiaux et les composants lectroniques. Les effets du rayonnement des particules haute nergie provoquent la charge de la surface du vaisseau spatial, la d gradation ou la d faillance permanente des composants et sous-syst mes lectroniques par des effets d' v nement unique, des dommages de d placement et des effets de dose ionisante dans le vaisseau spatial. Les effets des transitoires de charge induits par les ions peuvent tre divis s en trois cat gories de base: La dose ionisante totale (TID), le transfert d' nergie lin aire (LET) et les perturbations dues un v nement unique (SEU).L'effet TID est une accumulation d' nergie ionisante d pos e sur une longue p riode sur les mat riaux semi-conducteurs. L'effet TID est l'accumulation de l' nergie ionisante d pos e sur une longue p riode sur les mat riaux semi-conducteurs. La perte ou le transfert total d' nergie vers le mat riau par unit de distance de parcours travers le mat riau est appel TLE Les dispositifs lectroniques peuvent tre perturb s par le passage d' lectrons nerg tiques, de protons ou d'ions plus lourds qui peuvent modifier l' tat d'un circuit, produisant des "effets d' v nement unique". SEU et multiple-bit upset (MBU) qui modifient l' tat logique des noeuds internes du circuit. Elles peuvent tre r initialis es par diff rentes op rations lectriques. Ces erreurs sont appel es soft errors et sont r cup rables.

Le particelle cariche possono causare effetti negativi sui veicoli spaziali e sui componenti elettronici. Gli effetti delle radiazioni delle particelle ad alta energia causano la carica della superficie del veicolo spaziale, il degrado o il guasto permanente dei componenti elettronici e dei sottosistemi per effetto di singoli eventi, danni da spostamento ed effetti di dose ionizzante nel veicolo spaziale. Gli effetti dei transitori di carica indotti dagli ioni possono essere suddivisi nelle tre categorie fondamentali: L'effetto TID l'accumulo di energia ionizzante depositata per un lungo periodo sui materiali semiconduttori. Il TID si verifica soprattutto a causa degli elettroni e dei protoni, che possono causare il guasto del dispositivo. La perdita totale di energia o il trasferimento al materiale per unit di distanza di viaggio attraverso il materiale chiamata LET I dispositivi elettronici possono essere disturbati dal passaggio di elettroni energetici, protoni o ioni pi pesanti che possono alterare lo stato di un circuito, producendo "effetti di evento singolo". SEU e multiple-bit upset (MBU) che modificano lo stato logico dei nodi interni del circuito. Possono essere ripristinati con diverse operazioni elettriche. Questi errori sono chiamati errori morbidi e sono recuperabili.

Die geladenen Teilchen k nnen nachteilige Auswirkungen auf Raumfahrzeuge und elektronische Komponenten haben. Die Strahlungseffekte hochenergetischer Teilchen f hren zur Aufladung der Oberfl che von Raumfahrzeugen, zur Beeintr chtigung oder zum dauerhaften Versagen elektronischer Komponenten und Subsysteme durch Einzeleffekte, Verlagerungssch den und Auswirkungen ionisierender Dosen im Raumfahrzeug. Die Auswirkungen von ioneninduzierten Ladungstransienten k nnen in drei grundlegende Kategorien unterteilt werden: Gesamtionisierungsdosis (TID), linearer Energietransfer (LET) und Einzelereignisst rung (SEU).TID-Effekt ist die Akkumulation von ionisierender Energie, die ber einen langen Zeitraum auf Halbleitermaterialien einwirkt. TID tritt vor allem durch Elektronen und Protonen auf, was zum Ausfall des Ger ts f hren kann. Der gesamte Energieverlust oder -transfer in das Material pro Einheitsdistanz wird als LET bezeichnet. Elektronische Ger te k nnen durch den Durchgang von energiereichen Elektronen, Protonen oder schwereren Ionen gest rt werden, die den Zustand eines Schaltkreises ver ndern und "Einzeleffekte" erzeugen k nnen. SEU und Multiple-Bit-Upset (MBU), die den logischen Zustand interner Knoten des Schaltkreises ver ndern. Sie k nnen durch verschiedene elektrische Operationen zur ckgesetzt werden. Diese Fehler werden als weiche Fehler bezeichnet, die wiederherstellbar sind.